RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN1115MFV,L3F |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
8000+ | $0.0261 |
16000+ | $0.0227 |
24000+ | $0.0204 |
56000+ | $0.0181 |
200000+ | $0.0151 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | VESM |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | RN1115 |
RN1115MFV,L3F Einzelheiten PDF [English] | RN1115MFV,L3F PDF - EN.pdf |
RN1116MFV TOSHIBA
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=2.2K
AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7KOHM,
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN1115MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|